Описание материалов:
A single component, high Tg, thermally conductive, semiconductor die-attach grade epoxy. It was designed for bonding chips and SMD's inside hybrid micro-electronic packages. Other applications include JEDEC and opto-electronic packaging.
| Главная Информация | |
|---|
| Характеристики | |
| Используется | - Клеи
- Склеивание
- Электрическое/электронное применение
|
| Рейтинг агентства | - EC 1907/2006 (REACH)
- ЕС 2003/11/ЕС
- ЕС 2006/122/ЕС
|
| Соответствие RoHS | |
| Формы | |
| Физический | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Тип иона | | | |
| Cl- | 135 | ppm | |
| K+ | 6 | ppm | |
| Na+ | 48 | ppm | |
| NH4+ | 105 | ppm | |
| Размер частиц | < 20.0 | µm | |
| Дополнительная информация | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Температура разложения | 397 | °C | |
| Сила сдвига-
> Для детей до 20 кг по самой низкой цене
(23 °C) | 46.9 | MPa | |
| Operating Temperature | | | |
| Continuous | -55 to 200 | °C | |
| Intermittent | -55 to 300 | °C | |
| Модуль хранения (23 °C) | 5.63 | GPa | |
| Тиксотропный индекс | 1.88 | | |
| Weight Loss on Heating | | | |
| 200°C | 0.10 | % | |
| 250°C | 0.16 | % | |
| 300°C | 0.30 | % | |
| Тепловой | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Температура перехода стекла 1 | > 100 | °C | |
| CLTE-
Поток | | | |
| -- 2 | 3.8E-5 | cm/cm/°C | |
| -- 3 | 1.4E-4 | cm/cm/°C | |
| Теплопроводность | 0.79 | W/m/K | |
| Термокомплект | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Срок годности (-40°C) | 52 | wk | |
| Uncured Properties | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Цвет | White | | |
| Плотность | 1.68 | g/cm³ | |
| Вязкость 4(23°C) | 80 to 120 | Pa·s | |
| Время отверждения (180°C) | > 1.0 | hr | |
| Срок службы горшка | 40000 | min | |
| Cured Properties | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Твердость по суше (Shore D) | 92 | | |
| Lap Shear Strength (23°C) | > 13.8 | MPa | |
| Относительная проницаемость (1 kHz) | 5.30 | | |
| Сопротивление громкости (23°C) | > 1.2E+14 | ohms·cm | |
| Коэффициент рассеивания (1 kHz) | 0.011 | | |
| Примечание |
|---|
| 1 . | Dynamic Cure 20-300°C/ISO 25 Min; Ramp -10-200°C @ 20°C/Min |
| 2 . | Below Tg |
| 3 . | Above Tg |
| 4 . | 2.5 rpm |
