Описание материалов:
A single component, thermally conductive and electrically insulating epoxy designed for semiconductor die attach and bonding of SMDs for hybrid microelectronic packaging. It can be used for heat sinking, solder dam or dielectric layers in circuit assembly applications.
| Главная Информация | |
|---|
| Характеристики | - Электрически изолирующий
- Теплопроводящий
|
| Используется | - Клеи
- Склеивание
- Электрическое/электронное применение
|
| Рейтинг агентства | - EC 1907/2006 (REACH)
- ЕС 2003/11/ЕС
- ЕС 2006/122/ЕС
|
| Соответствие RoHS | |
| Формы | |
| Физический | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Тип иона | | | |
| Cl- | 177 | ppm | |
| K+ | 13 | ppm | |
| Na+ | 24 | ppm | |
| NH4+ | 87 | ppm | |
| Размер частиц | < 20.0 | µm | |
| Дополнительная информация | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Температура разложения | 350 | °C | |
| Сила сдвига-
> 10 кг
(23 °C) | 23.4 | MPa | |
| Operating Temperature | | | |
| Continuous | -55 to 200 | °C | |
| Intermittent | -55 to 300 | °C | |
| Модуль хранения (23 °C) | 4.43 | GPa | |
| Weight Loss on Heating | | | |
| 200°C | 0.48 | % | |
| 250°C | 0.71 | % | |
| 300°C | 1.2 | % | |
| Тепловой | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Температура перехода стекла 1 | > 90.0 | °C | |
| CLTE-
Поток | | | |
| -- 2 | 1.6E-5 | cm/cm/°C | |
| -- 3 | 6.8E-5 | cm/cm/°C | |
| Теплопроводность | 0.45 | W/m/K | |
| Термокомплект | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Срок годности (-40°C) | 52 | wk | |
| Uncured Properties | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Цвет | White | | |
| Плотность | 2.00 | g/cm³ | |
| Вязкость 4(23°C) | 300 to 400 | Pa·s | |
| Время отверждения (150°C) | > 1.0 | hr | |
| Срок службы горшка | 40000 | min | |
| Cured Properties | Номинальное значение | Единица измерения | |
|---|
| Твердость по суше (Shore D) | 84 | | |
| Lap Shear Strength (23°C) | 10.5 | MPa | |
| Относительная проницаемость (1 kHz) | 4.90 | | |
| Сопротивление громкости (23°C) | > 6.0E+9 | ohms·cm | |
| Коэффициент рассеивания (1 kHz) | 4.1E-3 | | |
| Примечание |
|---|
| 1 . | Dynamic Cure 20-200°C/ISO 25 Min; Ramp -10-200°C @ 20°C/Min |
| 2 . | Below Tg |
| 3 . | Above Tg |
| 4 . | 1 rpm |
